Gann diodi
Manba: ÖzME, 2-jild (2000–2005), «Özbekiston milliy ensiklopediyasi» Davlat ilmiy naşriyoti · elektron nusxa: ziyouz.com kutubxonasi, 86-b. — ziyouz.com
Gann diodi— ikki elektrodli r-p ötişsiz yarimötkazgiç asbob. Unda elektr magnit tebranişlarni generatsiyalaş yoki kuçaytirişda Gann effektidan foydalaniladi. Eng köp qöllaniladigan Gann generatorlari bölib, ular GaAs yoki JnP monokristallaridan yasalgan, qalinligi 1,5—10 mkm va diametri 20—150 mkm bölgan diskdan iborat. Diskning qarama-qarşi tomonlariga metall kontaktlar qoplanadi. G.d. öta yuqori çastotalar zanjirining faol elementi tarzida xizmat qiladi. Uning iş çastotalari -10-120 GGs, f.i.k. -2- 10%. Uzluksiz maromdagi quvvati -200 MVt, impuls maromda (~10GGs çastotada) 200 Vt.
Asl matn (kirill, PDF'dagidek)
ГАНН ДИОДИ— икки электродли р-п ўтишсиз яримўтказгич асбоб. Унда электр магнит тебранишларни генерациялаш ёки кучайтиришда Ганн эффектидан фойдаланилади. Энг кўп қўлланиладиган Ганн генераторлари бўлиб, улар GaAs ёки JnP монокристалларидан ясалган, қалинлиги 1,5—10 мкм ва диаметри 20—150 мкм бўлган дискдан иборат. Дискнинг қарама-қарши томонларига металл контактлар қопланади. Г.д. ўта юқори частоталар занжирининг фаол элементи тарзида хизмат қилади. Унинг иш частоталари -10-120 ГГц, ф.и.к. -2- 10%. Узлуксиз маромдаги қуввати -200 МВт, импульс маромда (~10ГГц частотада) 200 Вт.
Matn ÖzME'dan o'zgartirişsiz olingan, faqat yozuvi yangi alifboga o'girilgan. Qisqartmalar asl holida. Xato ko'rsangiz — xabar bering.