Gann effekti
Manba: ÖzME, 2-jild (2000–2005), «Özbekiston milliy ensiklopediyasi» Davlat ilmiy naşriyoti · elektron nusxa: ziyouz.com kutubxonasi, 86-b. — ziyouz.com
Gann effekti — Nsimon hajmiy volt-amper xarakteristikali yarimötkazgiçlarda elektr tokining yuqori çastotali tebranişlarini generatsiyalaş. G.e.ni amerikalik fizik J. Gann (J. Gunn) elektron ötkazuvçanlikli GaAs va JnP namunalarida kuzatgan (1963). G.e. doimiy kuçlaniş maromida namunalarda doimiy ravişda paydo böladigan, köçadigan va yöqoladigan kuçli elektr maydon sohasining mavjudligi tufayli yuzaga keladi. Bu soha Gann domeni deyiladi. G.e.da tebraniş çastotasi namuna uzunligiga teskari mutanosib böladi. Uz. 30—50 mkm li GaAs kristallda tebraniş çastotasi -0,3—2 GGs.
Asl matn (kirill, PDF'dagidek)
ГАНН ЭФФЕКТИ — Nсимон ҳажмий вольт-ампер характеристикали яримўтказгичларда электр токининг юқори частотали тебранишларини генерациялаш. Г.э.ни америкалик физик Ж. Ганн (J. Gunn) электрон ўтказувчанликли GaAs ва JnP намуналарида кузатган (1963). Г.э. доимий кучланиш маромида намуналарда доимий равишда пайдо бўладиган, кўчадиган ва йўқоладиган кучли электр майдон соҳасининг мавжудлиги туфайли юзага келади. Бу соҳа Ганн домени дейилади. Г.э.да тебраниш частотаси намуна узунлигига тескари мутаносиб бўлади. Уз. 30—50 мкм ли GaAs кристаллда тебраниш частотаси -0,3—2 ГГц.
Matn ÖzME'dan o'zgartirişsiz olingan, faqat yozuvi yangi alifboga o'girilgan. Qisqartmalar asl holida. Xato ko'rsangiz — xabar bering.