Vakuum-mikrosxemalar
Manba: ÖzME, 2-jild (2000–2005), «Özbekiston milliy ensiklopediyasi» Davlat ilmiy naşriyoti · elektron nusxa: ziyouz.com kutubxonasi, 20-b. — ziyouz.com
Vakuum-mikrosxemalar -mikroelektron texnologiya asosida yaratilgan köp funksiyali elektron asbob. V.-m. yuqori vakuumli ballonçadan iborat bölib, içida ma'lum tartibda köplab mikroelektrodlar joylaşgan. Millionlab metall katodlarni kimyoviy usulda yaratiş texnologiyasiga asoslangan. Mikroelektrodlar kremniy taglikka mahkamlanadi, söngra taglik ustiga ketma-ket kremniy oksid (SiO2) va yupqa metall (köpinça, molibden) qatlamlari joylaştiriladi. Şu usulda har 1 mm2 taglikka 10 mingtaça mikrokatod joylaştiriş mumkin. Mikrokatodlar niobiy, molibden, oltin va tantaldan tayyorlanadi. Vakuumli integral mikrosxemalar quyidagi afzalliklarga ega: V.-m. yarim ötkazgiçli mikrosxemalarga qaraganda 20 marta tezroq işlaydi, radiatsiyaga. kuçlaniş va t-ra özgarişlariga çidamli; emitter atrofidagi elektr maydonini boşqariş natijasida kvant-mexanik effektlarga oson erişiş mumkin; tannarxi esa öxşaş mikrosxemalarga nisbatan yuqori bölmaydi. V.-m. köçma radioaloqa tizimlarida, issiqlikka çidamli datçiklarda, reaktiv dvigatellar yoki atom reaktorlari va b. elektron qurilmalarda qöllaniladi.
Asl matn (kirill, PDF'dagidek)
ВАКУУМ-МИКРОСХЕМАЛАР -микроэлектрон технология асосида яратилган кўп функцияли электрон асбоб. В.-м. юқори вакуумли баллончадан иборат бўлиб, ичида маълум тартибда кўплаб микроэлектродлар жойлашган. Миллионлаб металл катодларни кимёвий усулда яратиш технологиясига асосланган. Микроэлектродлар кремний тагликка маҳкамланади, сўнгра таглик устига кетма-кет кремний оксид (SiO2) ва юпқа металл (кўпинча, молибден) қатламлари жойлаштирилади. Шу усулда ҳар 1 мм2 тагликка 10 мингтача микрокатод жойлаштириш мумкин. Микрокатодлар ниобий, молибден, олтин ва танталдан тайёрланади. Вакуумли интеграл микросхемалар қуйидаги афзалликларга эга: В.-м. ярим ўтказгичли микросхемаларга қараганда 20 марта тезроқ ишлайди, радиацияга. кучланиш ва т-ра ўзгаришларига чидамли; эмиттер атрофидаги электр майдонини бошқариш натижасида квант-механик эффектларга осон эришиш мумкин; таннархи эса ўхшаш микросхемаларга нисбатан юқори бўлмайди. В.-м. кўчма радиоалоқа тизимларида, иссиқликка чидамли датчикларда, реактив двигателлар ёки атом реакторлари ва б. электрон қурилмаларда қўлланилади.
Matn ÖzME'dan o'zgartirişsiz olingan, faqat yozuvi yangi alifboga o'girilgan. Qisqartmalar asl holida. Xato ko'rsangiz — xabar bering.